DTB513ZE3TL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTB513ZE3TL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.40 |
10+ | $0.324 |
100+ | $0.2208 |
500+ | $0.1656 |
1000+ | $0.1242 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased + Diode |
Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 150 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 260 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 140 @ 100mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
Grundproduktnummer | DTB513 |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTB513ZE3TLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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